Se anuncia por parte de Toshiba que estan en fase de desarrollo de las nuevas memorias PLC que permitirán almacenar 5 bits por celda.
Las unidades de almacenamiento de estado sólido o SSD han bajado mucho de precio en los últimos meses. Entre otras cosas se debe a la aparición de memorias QLC, que almacenan cuatro bits por celda. Permite así reducir los costes de producción y fabricación, al mismo tiempo que se aumenta la capacidad. Toshiba acaba de anunciar que trabaja en memorias PLC o NAND Flash de 5 bits por celda.
Hemos visto en los últimos años como los SSD se han ido aproximando en capacidad a los HDD. Debido a la bajada de precios, los SSD se han ido convirtiendo en estándar, hasta el punto de ser implementados en consolas. Falta bastante para que estas unidades terminen llegando al mercado, pero es una gran noticia.
Toshiba ya está desarrollando las memorias PLC
Actualmente Toshiba ofrece las memorias BiCS Gen4 bajo el estándar PCIe 3.0 que ofrece hasta 800MT/s. BiCS Gen5 funcionara bajo el estándar PCIe 4.0 con una calidad de 1 200MT/s. Para el futuro se espera BiCS 6 bajo PCIe 5.0 ofreciendo una velocidad de 1 600MT/s y BiCS 7 bajo PCIe 6.0 llegara a los 2 000MT/s.
No existe aún un Roadmap al respecto, pero se especula que podría ser a unos cinco años vista. Quizá lo más interesante es la próxima iteración de memorias NAND Flash. Se aumentara la densidad y se reducirá el consumo, al mismo tiempo que se mejoran las velocidades de trabajo.
Estas nuevas memorias Penta Layer Cell o PLC reemplazaran a largo plazo a las memorias QLC. Al ofrecer 5 bits por celda, se mejorara la densidad para las unidades SSD. Cada celda permitirá almacenar hasta 32 niveles distintos de tensión. Se necesitaran controladores de gran precisión para su lectura.
Tendrá algunos problemas y es que Toshiba dice que PLC será más lenta y la resistencia se reducirá. Esto se podría mitigar mediante los nuevos protocolos NVMe y ZNS. La tecnología Zoned Namespaces (ZNS) cuenta con seis mejoras con respecto a los actuales controladores. Necesita menos DRAM, reduce el acceso a sobreaprovisionamiento de la NAND, mejora la vida del SSD al reducir la amplificación de escritura. También se reduce la latencia, se mejora el rendimiento y se mejora el ecosistema de software y hardware.
Fuente: TH
